توضیحات محصول

دانلود مقاله رفتار رسانایی زیرآستانه در ترانزیستورهای بدون اتصال

تعداد کلمات فایل انگلیسی:۳۰۰۰ کلمه ۶ صفحه pdf

تعداد صفحات فایل ترجمه:۹ صفحه word فونت ۱۴ B Lotus

رفتار رسانایی زیرآستانه در ترانزیستورهای بدون اتصال

چکیده

در این مقاله، تاثیر تراکم دوپینگ بالا در کانال و ساختار منحصر به فرد ترانزیستورهای بدون پیوند در رژیم رسانایی زیرآستانه مطالعه می شود. نتایج تجربی و شبیه سازی نشان می دهند که ترانزیستورهای بدون اتصال نسبت انتشار رسانایی را کاهش داده و ارتفاع موثر مانع بین منبع/تخلیه و کانال سیلیکونی در رژیم زیرآستانه را کم می کنند. همچنین در این مقاله ترانزیستورهای بدون اتصال با ترانزیستورهای حالت معکوس مقایسه شده است. نهایتا،افت کنترل پذیری دروازه در منطقه کانال و اثر انحراف تخلیه قوی منجر به مقدار نسبتا بزرگ DIBL در ترانزیستورهای بدون اتصال می شود. با این حال، JLTs در مقابل اثر کانال کوتاه از نظر افت مقدار ارتفاع مانع موثر، ایمنی بهتری نشان می دهد. هنگامی که طول کانال دستگاه ها تا حد زیادی منقبض می شود

 

Behavior of subthreshold conduction in junctionless transistors

abstract
In this work, the effect of high channel doping concentration and unique structure of junctionless transistors (JLTs) is investigated in the subthreshold conduction regime. Both experimental results and simulation work show that JLTs have reduced portion of the diffusion conduction and lower effective barrier
height between source/drain and the silicon channel in subthreshold regime, compared to conventional
inversion-mode (IM) transistors. Finally, it leads to a relatively large DIBL value in JLTs, owing to degraded gate controllability on channel region and strong drain bias effect. However, JLTs showed a better immunity against short channel effect in terms of degradation of the effective barrier height value
As channel length of devices shrunk extremely, the formation of
junction at source and drain side becomes a major challenge…a
کد:۲-۱۰۴۰۹
دانلود رایگان فایل انگلیسی:
رمز فایل:www.downloadmaghaleh.com
دانلود مقاله رفتار رسانایی زیرآستانه در ترانزیستورهای بدون اتصال

 

نظری بدهید

15 + یک =