توصیف مشخصه ویژگی های نوترکیبی در سطوح پراکنده برای مفاهیم سل های ( پیل های ) خورشیدی سیلیکونی صنعتی
صفحات انگلیسی: 7
تعداد کلمات:4748 صفحات فارسی: 19
چکیده
آزمایش ارزیابی ویژگی های نوترکیبی سطح در سطوح پراکنده فسفری برای سل های خورشیدی سیلیکونی کریستالی در این مقاله توضیح داده می شود . تحلیل ویژگی های نوترکیبی سطح برای پخش کلراید فسفریل (POCI3) انجام گرفته است . بررسی ویژگی های نوترکیبی بر روی سطوح پراکنده با هدف کارامدی تبدیل سل های خورشیدی سیلیکونی حیاتی است . از اینرو ، دانسیته های جریان اشباع تاریک (J0) از طریق اندازه گیری فریب رسانایی نور وضعیت شبه پایدار (QSSPC) و پروفایل های ناخالص سازی از طریق اندازه گیری ولتاژ خازن الکتروشیمایی (EVC) مشخص می شوند . کل فرایند های پخش در کوره لوله ای کوارتز اجراء می شوند . نمونه ها در دمای بالای 800 تا 950 درجه سانتی گراد پخش می گردند . بنابراین تاثیر پارامتر های متعدد نظیر توسعه غلظت سطح ، دمای پخش و دانسیته جریان اشباع تاریک براورد می گردند .
a b s t r a c t
This paper describes an experiment to evaluate the surface recombination properties of phosphorous diffused surfaces for crystalline silicon solar cells. In this experiment the analysis of surface recombination properties for the phosphoryl chloride (POCl3) diffusion is carried out. Investigation of recombination properties on diffused surfaces is crucial for the conversion efficiency of silicon solar cells. Hence, the dark saturation current densities (Jo) are determined via quasi steady state photoconductance (QSSPC) decay measurement and the doping profiles by electrochemical-capacitance voltage (ECV) measurement. All the diffusion processes are performed in a quartz tube furnace. The samples are diffused at peak temperatures of 800–950 C. Therefore; the influence of several parameters for example the extent of surface concentration, the diffusion temperature and the dark saturation current density (Jo) are evaluated
دانلود رایگان مقاله انگلیسی
دانلود مقاله دات کام 
توضیحات محصول
توصیف مشخصه ویژگی های نوترکیبی در سطوح پراکنده برای مفاهیم سل های ( پیل های ) خورشیدی سیلیکونی صنعتی
صفحات انگلیسی: 7
تعداد کلمات:4748 صفحات فارسی: 19
چکیده
آزمایش ارزیابی ویژگی های نوترکیبی سطح در سطوح پراکنده فسفری برای سل های خورشیدی سیلیکونی کریستالی در این مقاله توضیح داده می شود . تحلیل ویژگی های نوترکیبی سطح برای پخش کلراید فسفریل (POCI3) انجام گرفته است . بررسی ویژگی های نوترکیبی بر روی سطوح پراکنده با هدف کارامدی تبدیل سل های خورشیدی سیلیکونی حیاتی است . از اینرو ، دانسیته های جریان اشباع تاریک (J0) از طریق اندازه گیری فریب رسانایی نور وضعیت شبه پایدار (QSSPC) و پروفایل های ناخالص سازی از طریق اندازه گیری ولتاژ خازن الکتروشیمایی (EVC) مشخص می شوند . کل فرایند های پخش در کوره لوله ای کوارتز اجراء می شوند . نمونه ها در دمای بالای 800 تا 950 درجه سانتی گراد پخش می گردند . بنابراین تاثیر پارامتر های متعدد نظیر توسعه غلظت سطح ، دمای پخش و دانسیته جریان اشباع تاریک براورد می گردند .
a b s t r a c t
This paper describes an experiment to evaluate the surface recombination properties of phosphorous diffused surfaces for crystalline silicon solar cells. In this experiment the analysis of surface recombination properties for the phosphoryl chloride (POCl3) diffusion is carried out. Investigation of recombination properties on diffused surfaces is crucial for the conversion efficiency of silicon solar cells. Hence, the dark saturation current densities (Jo) are determined via quasi steady state photoconductance (QSSPC) decay measurement and the doping profiles by electrochemical-capacitance voltage (ECV) measurement. All the diffusion processes are performed in a quartz tube furnace. The samples are diffused at peak temperatures of 800–950 C. Therefore; the influence of several parameters for example the extent of surface concentration, the diffusion temperature and the dark saturation current density (Jo) are evaluated
دانلود رایگان مقاله انگلیسی